描述
LAM 810-068158-015 — 拉姆研究（LAM Research）刻蚀系统用射频发生器
技术规格：
| 参数项 | 详细规格 |
|---|---|
| 品牌 | LAM Research（KLA集团） |
| 系列 | 刻蚀系统射频发生器 |
| 型号 | 810-068158-015 |
| 部件名称 | RF Generator（射频发生器，双频版） |
| 工作频率 | 13.56MHz + 2MHz（双频CW模式） |
| 最大输出功率 | 3000W（主频13.56MHz）/ 500W（副频2MHz） |
| 输出阻抗 | 50Ω（自动匹配） |
| VSWR | <1.1:1（匹配后） |
| 反射功率 | <3%（匹配后） |
| 调制方式 | CW（连续波，双频） |
| 调谐速度 | <100ms（自动调谐） |
| 冷却方式 | 风冷（内置高流量涡轮风扇） |
| 供电电压 | 200~240V AC，三相，50/60Hz |
| 供电功率 | 约4500W（含损耗） |
| 控制接口 | RS-232 / Ethernet（与LAM主机通讯） |
| 尺寸 | 约508 × 406 × 228mm |
| 重量 | 约22~25kg |
| 防护等级 | IP20 |
| 工作温度 | 0°C ~ +40°C |
| 认证 | CE、UL、FCC |
| 产地 | 美国 |
功能特点：
- 双频模式：同时输出13.56MHz + 2MHz两个频率，先用高频点燃等离子体，再用低频维持，适合高深宽比刻蚀
- 3000W主频 + 500W副频：主频提供高刻蚀速率，副频提供等离子体密度控制
- 自动阻抗匹配：VSWR<1.1:1，匹配速度<100ms
- 单频/双频可切换：通过LAM主机软件切换单频或双频模式
- 与014版本兼容：外形尺寸、安装接口、通讯协议完全相同，可直接互换
应用场景：
- LAM Kiyo系列刻蚀机台（双频工艺配置）
- 高深宽比硅刻蚀（如DRAM电容刻蚀、3D NAND沟槽刻蚀）
- 介质硬掩膜刻蚀
- 任何需要双频等离子体控制的刻蚀工艺
性能参数：
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 主频 | 13.56MHz / 3000W |
| 副频 | 2MHz / 500W |
| VSWR | <1.1:1 |
| 反射功率 | <3% |
| MTBF | >50,000小时 |
材质构成、结构特征、工作原理、安装要求、使用注意事项：与810-068158-014完全相同，此处不再重复。主要区别在于内部有两套独立的功率放大链路和两套调谐网络。
