描述
GE DS3800NPSK1H1F — Mark VIe 冗余电源模块
技术规格：
- 输出电压：5VDC ±0.25%（4.975V 至 5.025V）
- 额定电流：10A（单模块），双模块并联可达 20A
- 输出功率：50W（单模块），100W（双模块并联）
- 纹波和噪声：小于 30mV（峰峰值，满载时，H1F 版本）
- 输入电压：120VAC 或 240VAC（可配置跳线），50/60Hz
- 冗余方式：双模块并联，自动均流
- 切换时间：小于 10ms
- 过载保护：110% 降额，150% 关断
- 短路保护：支持，自动恢复
- 过压保护：5.5VDC 时关断
- 欠压保护：4.5VDC 时关断
- 效率：大于 80%
- 工作温度：0°C 至 +50°C
- MTBF：大于 120,000 小时
- 尺寸：标准 Mark VIe 模块宽度（约 25mm × 160mm × 130mm）
- 重量：约 350g（单模块）
功能特点：
- 纹波小于 30mV，确保 CPU 和精密 I/O 稳定运行
- 双模块冗余，切换时间小于 10ms
- 自动均流，偏差小于 4%（H1F 版本）
- 前面板 LED：绿色 = 正常，黄色 = 均流不平衡，红色 = 故障
- H1F 固件支持在线固件升级（通过以太网或串口）
- 前面板设有输出电压微调电位器，可在 ±1% 范围内微调输出电压
材质构成：
- PCB：8 层高密度板
- 变压器：高频铁氧体变压器，屏蔽罩包裹
- 滤波电容：大量低 ESR 电解电容（总容量超过 12,000μF）+ 陶瓷电容（100nF）+ 薄膜电容（1μF）
- 稳压芯片：低噪声 LDO 稳压器，纹波小于 10mV
- 功率 MOSFET：低导通电阻 MOSFET（导通电阻小于 5mΩ）
- 外壳：铝合金压铸 + 电磁屏蔽罩
- 风扇：40mm 直流风扇
结构特征：
- 标准 Mark VIe 模块尺寸
- 前面板设有输入端子（L、N、PE）、输出端子（+5V、0V）、均流指示 LED 和状态 LED
- 顶部设有通风口，底部设有锁定卡扣
工作原理：
交流电源经 EMI 滤波器、整流桥、bulk 电容滤波后，变为约 340VDC 的直流母线电压。PWM 控制器以 100kHz 频率驱动功率 MOSFET 进行高频斩波，通过高频变压器降压后经整流滤波输出稳定的 5VDC。两块模块通过均流总线连接，实时监测各自输出电流，自动调整 PWM 占空比使电流平衡。三级滤波电路将输出纹波压低至 30mV 以内。
安装要求：
- 必须与同型号模块（DS3800NPSK1H1F）并联安装于相邻槽位
- 输出导线截面积不小于 4mm²（10A 电流需至少 4mm² 铜线）
- 散热上方保留至少 30mm 通风空间
使用注意事项：
- 5VDC 电源纹波超标会导致 CPU 运算错误或 I/O 采样失真
- 双模块必须同型号，不可混用
- 风扇故障时需在 48 小时内更换
- H1F 固件支持在线升级，需使用 GE ToolboxST 软件
应用场景：
- Mark VIe CPU 模块供电
- 高精度模拟量 I/O 模块供电
- 通信模块供电
- 任何对电源纹波要求较高的精密电子设备
