描述
GE DS3800HCPC1H1F — Mark VIe 冗余电源模块
技术规格：
- 输出电压：24VDC ±0.5%（23.88V 至 24.12V，H1F 版本比旧版 ±1% 更精确）
- 额定电流：10A（单模块），双模块并联可达 20A
- 输出功率：240W（单模块），480W（双模块并联）
- 纹波和噪声：小于 30mV（峰峰值，满载时，H1F 版本为全系列最低）
- 输入电压：120VAC 或 240VAC（可配置跳线），50/60Hz
- 冗余方式：双模块并联，自动均流（偏差小于 3%，H1F 版本比旧版 5% 更精确）
- 切换时间：小于 15ms（H1F 版本比旧版 20ms 快 25%）
- 过载保护：110% 降额，150% 关断
- 短路保护：支持，自动恢复
- 过压保护：28VDC 时关断
- 欠压保护：20VDC 时关断
- 效率：大于 90%（H1F 版本，旧版为 85%）
- 工作温度：0°C 至 +50°C
- MTBF：大于 120,000 小时
功能特点：
- H1F 版本纹波小于 30mV，满足最精密 I/O 模块供电需求
- 自动均流偏差小于 3%，双模块负载分配更均匀
- 前面板 LED：绿色 = 正常，黄色 = 均流不平衡，红色 = 故障
- 模块级热插拔支持
- H1F 版本内置温度传感器，温度超过 70°C 时降额运行
材质构成：
- PCB：6 层高密度板（H1F 版本比旧版多 2 层）
- 变压器：高频铁氧体变压器（EE42 磁芯，H1F 版本使用更大的 EE49 磁芯，效率更高）
- 整流器：SiC 肖特基二极管桥堆（H1F 版本，比旧版硅二极管压降更低，效率更高）
- 滤波电容：低 ESR 固态电容（H1F 版本，比旧版电解电容寿命更长、纹波更低）
- 外壳：铝合金压铸 + 散热鳍片（鳍片面积比旧版大 30%）
安装要求：
- 两块模块必须并联安装于相邻槽位
- 输入端需配合 15A 至 20A 断路器
- 输出导线截面积不小于 2.5mm²
- 散热上方保留至少 30mm 通风空间
应用场景：
- Mark VIe 系统 I/O 机架主电源
- 现场 24VDC 仪表供电
- 电磁阀、执行机构供电
