GE AO3481 N 沟道 MOSFET 功率芯片

产品简介

GE 旗下 AOS(美国万代)生产的工业级 N 沟道增强型 MOSFET,采用 SOT-23 封装,低导通电阻、高开关速度、低栅极电荷,适用于低压大电流开关、电源管理、负载驱动、电机控制等场景,广泛应用于工业电源、PLC、I/O 模块、消费电子与汽车电子。

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描述

技术规格
  • 制造商:AOS(美国万代半导体,GE 旗下)
  • 型号:AO3481
  • 器件类型:N 沟道增强型 MOSFET
  • 封装形式:SOT-23(贴片式)
  • 漏源电压(VDS):30V(最大值)
  • 栅源电压(VGS):±20V(最大值)
  • 连续漏极电流(ID):4A(最大值,25℃)
  • 脉冲漏极电流(IDM):12A(最大值)
  • 导通电阻(RDS (on)):8mΩ(典型值,VGS=10V,ID=4A)
  • 栅极电荷(Qg):10nC(典型值,VGS=10V)
  • 开关速度:上升时间 10ns,下降时间 8ns(典型值)
  • 功耗(PD):1.25W(最大值,25℃)
  • 工作温度:-55℃~+150℃
  • 存储温度:-65℃~+150℃
  • 材质:硅基半导体芯片、环氧树脂封装、镀金引脚
  • 认证:RoHS、REACH 环保认证
功能特点
  • 低导通电阻高效率:RDS (on) 仅 8mΩ,导通损耗极低,大电流工况下发热小,提升电源与驱动电路效率。
  • 高开关速度低损耗:栅极电荷 10nC,开关速度快(上升 10ns / 下降 8ns),高频应用(≤1MHz)下开关损耗小,适配高频电源与 PWM 控制。
  • 大电流承载能力强:连续 4A / 脉冲 12A 电流,30V 耐压,适配低压(≤24V)大电流负载驱动,如电机、继电器、LED 阵列。
  • 宽温稳定可靠性高:-55℃~+150℃超宽温运行,硅基芯片 + 环氧树脂封装,抗静电、抗热冲击,工业与汽车级应用可靠。
  • 小封装易集成:SOT-23 贴片封装,体积小(2.9mm×1.6mm×1.1mm),适合高密度 PCB 布局,适配小型化电源与控制模块。
  • 环保合规:RoHS/REACH 认证,无铅无卤,符合工业与消费电子环保要求。
应用场景
  • 工业电源:DC-DC 转换器、开关电源、负载开关、电源管理模块(如 8910/8913 系列电源内部功率开关)。
  • 工业控制:PLC 输出模块、I/O 继电器驱动、电磁阀 / 接触器控制、小型直流电机驱动(≤24V/4A)。
  • 消费电子:锂电池保护板、充电器、LED 驱动、笔记本 / 平板电源管理。
  • 汽车电子:车载 24V 系统负载开关、车灯控制、车窗电机驱动、车载电源管理。